求问finfet和soi工艺的作用与区别。
时间：12-12
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鳍式场效应管用栅半包围沟道，是为了防止栅极漏电流过大吗？绝缘体上硅是防止从
衬底端漏电过大吗？各自优缺点是啥？两者可以同时用吗？
衬底端漏电过大吗？各自优缺点是啥？两者可以同时用吗？
好高深。
SOI是为了防止衬底之间相互射频干扰。
衬底和栅，应该可以吧？想不出为啥不可以。