为什么分立MOS管的电容都很大？

需要在1.8V 2MHz下工作的MOS管，结果发现很多MOS管的Ciss电容都很大，从而需要
很大的电流才能带得动。比如NXP公司的MOSFET，NX3008已经几乎是Ciss最小的了，
Vds=15V时还有35pF，随着电压降低会更大。信号加上去马上就畸变带不动了。而像一些
常用的MOS器件比如74LV04反相器，其输入电容才3.5pF。
这是为什么，分立的MOS器件为什么输入电容会这么大呢？不仅NXP，其它几家公司大都
如此。是我找的不对吗？

看看这两个：
http://www.mouser.com/ds/2/302/2N7002PW-99426.pdf
Rds-on=1.3 Ohm@5V Vgs. Cgs=26pF
www.fairchildsemi.com/ds/2N/2N7000.pdf
Rds-on=1.7 Ohm@5V Vgs. Cgs=16pF

谢谢你的信息，这两个2N7000手册上给出的数据显示Vds>15V时Ciss都在20pF以上，
和那些最普通的CMOS反相器3.5pF的输入电容相比还是有量级上的差别。
搞不懂，这么大的差异是由于制造工艺造成的还是别的什么原因？

输入电容正比于晶体管的W*L，跨导正比于W/L，耐压和L正相关。
cmos反相器工作电压低，L小，跨导一定，电容就小。
.63

管壳封装引入的电容占了挺大一部分，
另外管子自己尺寸大

如果是因为WL大的缘故，那为什么没有厂家做一些小尺寸、低电压、低电容值的
MOS管呢？是没这求吗？
感觉应该不是的，不能随便一个简单电路都要自己去做IC。