讨论：退出主流工艺的FAB用来干什么？
主流数字产品如CPU/DSP/MEM，还有各种手机、PMP的ASIC都不会用它来流片。
中国可能还不是很多，美帝、日本、欧洲应该有一大把。这些生产线目前在扮演什么样的角色呢？
难道仅仅是跑一些MCU之类的廉价代工？
已经建好就不可能再拆毁了吧，除非真是一点也不能生产了。而且它们固定资产已经折旧完毕，只要能跑东西就会带来利润。
这种线如果没有足够订单的话，开动起来就是赔钱，所以关闭才是理性的选择。
180nm还是很先进啊
.35仍然是模拟主流，1um铝栅工艺都仍然在赚钱
小尺寸的工艺只是更适合数字集成，真要说模拟上的性能，.18对.35并没有
优势，曾经对比过TSMC.18的N waffle管的驱动力（Ron），并不比同样尺寸
（芯片尺寸）的另一工艺厂的.35好。在.18工艺上，沟道电阻已经不是主要
矛盾，金属寄生有些时候比沟道电阻还大，如果不注意strip的数目以及相
应的w，有时加大w，Ron反而变大。
不过现在越来越多的模拟芯片上，数字部分的比重也越来越大，从这个角度，
.18还是有其优越性的
最后吐槽一下TSMC的distribution，跑个MC下来真是惨不忍睹。了解了一下，
一来是代工厂给的参数本来就保守，二来TSMC的统计数据是综合不同fab的偏
差得来（某个特定的TSMC工艺，可能在N个location不同的fab流片），跟另
一个.35比起来真是差很多。
0.18um综合来说是noise最好的工艺，这个角度还是有优势；另外0.13um开始用铜互连，对于RFIC来说也有比较明显的好处
嗯，dar兄说的真好。
另外一个印证是每年的ITRS，不同类型的IC，集成度是排着队向前推进的。比如CIS这种特殊的器件结构，还在0.13向下排队中，甚至0.18的都还主流。
如果从设备角度考虑，很多设备是可以复用补充到下一代线上去的。
如果从商业角度考虑，排队现象满足了一个非常庞大的二手设备市场。
铜互连的小寄生，大电流，相对于铝，真是质的飞越，其实对于小尺寸的
缺点，有一项刚才没说，就是当单位面积的驱动力提高了，但是金属连线
的电流密度没有提高，这又没法减小DIE size。曾经遇到用小尺寸waffle
管时，Pcell的MET1电流能力没法满足spec的尴尬。
简单说，比如以前1000um^2的面积，可以提供100mA的电流，现在小尺寸
工艺下，可以提供200mA的驱动电流，但是MET1的承载能力只有150mA，
designer还是得加大面积来确保电流密度和life time的指标。
说来惭愧，我在的公司，这几年基本还以.35为主流，只是现在fab产能不够，
紧急找TSMC的.18来救火，结果一阵兵荒马乱，颇有些不爽
不过长远讲，还是要往小尺寸路线走的，大势所趋啊
能赚钱就行，很多时候具体到产品，不见得哪个合算。
所谓的大势所趋，没事，有mems接班呢。设备这方面，只有彻底坏掉的设备，没有没人要的设备:)
但铜互连的低寄生电阻对于提高大功率应用的功率效率，降低损耗非常重要,现在用CMOS工艺实现的RF PA基本都是在0.13um工艺上实现的。
比如像intel曾经遍布全球的
.5, 0.35, 0.25, 0.18等工艺线，现在是在做什么？
发挥余热还是卖掉。
如果增大WAFER，缩小线宽的话，我的理解应该是整条线都得换代，不能只是更换相应设备就了事了吧。
wafer size变大的话，肯定是新建一条线，而且往往facility都不一样了。
仅仅是缩小线宽的话，要看这条线和当前技术的实际状况，一般来说，最少1/3的设备还是能继续用的，多的话能超一半。