问一下tsmc 0.13um工艺下不同device之间的corner相关性问题

1. core device和io device corner有相关性吗？ 比如nmos1v 如果在ss,是不是nmos3v也在ss?
2. vpnp,npp 和core device "nmos1v, pmos1v"的corner有相关性吗? 比如nmos1v 如果在ss,是不是vpnp也在ss?
3. nwell中的nmos管 mos_var 同core device "nmos1v, pmos1v"的corner有相关性吗?比如nmos1v 如果在ss,是不是mos_var也在ss?
4. 二及管diodep,dioden同 core device "nmos1v, pmos1v"的corner有相关性吗?比如nmos1v 如果在ss,是不是dioden也在ss?
5. 不同类型电阻有相关性吗? rphpoly（中阻),rphripoly(高阻）,rplpoly（低阻）的corner有没有相关性?
fab厂会提供相应的文档吗?

搭车同问。这个问题也困扰很久了。目前我是稳妥起见，认为他们没有相关性的。
最后一个电阻的，是不是只能在corner设置里设ss_res,ff_res，不能针对不同类型电阻分开设置吧？
这些corner的参数全部都在一个后缀为scs的文件里。

我是做design的，不一定对

有没有人研究过不同device corner之间的相关性? 我觉得这个问题比较重要呀, 一般的公司怎么考虑这个问题的