芯片回来了,有一半的pin esd过不了2kv

想ESD电流不走内部电路，走ESD cell，在内部电路上加电阻，通常的问题是output上又不能够加很大的电阻。

对,基本上只烧一两个nmos的drain...本来是想拉大距离的,但是后来想赌一把..
现在接上的是专门保护io的对地对supply的diode,我做是做在ic上了,但是由于种种原因没接.现在把它们接上,但是不明白你说的用处不是很大的意思.

controller的driver输出端，内部nmos一般按esd rule稍微拉大drain和gate间距，2kV就可以过了。挂上diode没有用的，因为没有电阻，电流还会流经driver的mosfet drain端。

一般来说，如果是tsmc的工艺，只要遵循tsmc的rule来画输出的IO，过2k是厂家保证的。
我记得有除了拉大drain和gate的间距，还要加silicide-blocking和ESD-implant，还有total的width要到360u(0.13um tsmc logic，thick drain device)，基本都能到4k以上。

他指的是内部MOS能达到self protection的width要求。

唉，相比这样的方法，我们完全是在凭感觉经验，靠天吃饭啊