请问模拟电路工艺迁移有什么技巧

比如从0.5的迁移到 0.35或0.25um，
把长宽比同时缩小，电源降低，偏置电流不变，如果动态范围够，性能指标符合估计就可以了吧。
有介绍这方面的资料吗？谢谢！

digital可行些，analog再有经验也得仿仿吧。。。

当然要仿呀，但是是原尺寸带进去仿还是等比例缩小一下呢？

需要了解 process 的区别吧。譬如一般 channel width/length 都有 side diffusion，同样的side diffusion 对不同的feature size 的process 影响是不一样的吧。
另外不同feature size 的process 的gate oxide 厚度也应该不一样把？简单维持 w/l 未必能能够达到原来的gm.
不同feature size 的process 的 starting material, tool, doping profile 也不会完全一样，所以电路的 offset, noise 都要重新考虑过。