问一个关于native device
时间：12-11
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为什么process当中，native管子的Lmin比普通管子大那么多？
我用的tsmc65nm工艺中
native 管子的 Lmin＝1um
我用的tsmc65nm工艺中
native 管子的 Lmin＝1um
我用的65nm工艺没有大这么多阿，还是号称和tsmc65nm兼容的工艺.
我也很好奇
不知道工艺上是怎么考虑的，为什么要做那么大
native管子并没有多消耗mask
反而比普通管子少了几次implant，为什么要做那么大？
有吗？为什么我们当时做varactor不需要额外mask
普通MOS是在native的基础上implant调节出来的
加一个vardummy层就好了，只是dummy，不产生一层额外mask
varactor是nwell里的nmos,native是少了一层注入。不一样。
管子长是因为要减小leakage.