smic55nm 下面1.2V native 管子gate leakage current问题

通过仿真可以发现,相同尺寸的1.2V native管子的gate leakage current
大概是普通1.2V 管子 n12ll的 1/10. 请问：
（1）这个现象是正确的吗？
（2）如果是正确的，原因是什么呢？ 总感觉应该native 管子的gate leakage current 大呀，因为它的Vth约为0

1.2v native 的channel length长一些？ hot carrier inject into gate少一些？

我用的两种管子的W,L是相同的

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gate leakage主要跟栅厚度有关。

HCI是寿命相关，跟这个没有关系吧？

是哪一代BSIM模型？准么？

native应该漏电大吧，楼主问问smic看人家怎么回复？

我认为native管和普通管的gate leakage差别应该不大，因为栅漏电跟栅氧化层厚度有关，同一工艺栅氧厚度应该差不多。
而native管和普通管的主要区别是注入程度不同，也就是有没有原始沟道的问题，native管的vth=0是因为不加电压它就有厚道，而普通管必须加电压形成反型层才有沟道，在半导体器件物理书里，这是耗尽型管子与增强型管子的区别。
或者简单来讲，native管所谓的漏电是漏极的漏电，而不是栅极的漏电。

和smic确认了下，native 管子和core device的gate leakage差不多。 smic承认是他们模型给错了，给出的结果是native device的gate leakage只有core device的1/6, 他们会修正这个错误

8cuo
总的来讲，gate leakage上面，native还是比core要小的