请问宽长比对管子温漂的影响

pmos的gate直接接地，DS之间用恒流源接入恒定电流，测量D端电压。
采用spectre进行仿真，结果发现
W < L : 管子等效电阻随温度升高而增大，（正温度系数）
W > L : 管子等效电阻随温度升高而减小，（负温度系数）
W = L : 管子等效电阻温漂较小
请问这种情况对吗？还是跟工艺有关系？我用的是hhnec 工艺

私以为三个状况下，管子都是饱和或者都是线性区才有比较的意义吧