问一个corner变化的问题

耗尽型nmos和普通nmos的corner总是偏向一边么？
看到一种reference的做法，用普通nmos的vth和耗尽型nmos的vth相减，抵消温度系数
应为库里nmos的corner都是往同一个方向变化，所以仿真结果比普通的bandgap要好。
可是它们两个的注入分两次，应该不互相关联吧，实际制作出来这种reference会不会偏差比仿真大的多？

n well和p well不是同时变化的吧，所以才有snfp什么的

两种nmos的vth是两次注入决定的吧？
我觉得这个不一定会偏到同一个方向？

你说的偏，是指工艺造成的偏差吗？
我看你原贴的意思，似乎是说两种NMOS的Vth的温度系数往同一个方向偏的意思啊？
那样不是很自然嘛，虽然Vth不同的两种器件，但是随温度的变化应该是相同的啊，因为是同一种截流子嘛

温度系数当然是往同一方向偏了
可是不像bandgap，nmos，pmos，bip，res的corner可以分开仿
这里用到的两个nmos corner并不能分开
也就是说不存在nmos_depletion slow, nmos_normal fast这个corner，而实际中是可能存在的

这个你可以自己改下model做出这样的corner来呀

这paper我也看过，用的两个NMOS分别是core device和IO device，它们的注入是一样的，区别是IO device用的是厚栅。所以我觉得随温度变化是一致的，但是两者的vth之差是不确定的，完全有可能制造时薄栅偏而厚栅偏薄了……
只是一家之言，有没有搞model的兄弟出来给个说法？

你们说的应该是不同的做法，有用native管的，也有用厚栅的

对，相信你自己的理解，不要盲目相信model。

在process control中，栅氧厚度是最critical的，也是控制的最好的，绝对误差通常在1％以内。
所以栅氧厚度是可以相信的。