问一个corner的问题

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   zuiaiqh (Inzaghi) 于  (Tue Apr 10 22:04:26 2007)  提到:
一般我们除了仿真tt之外
1.还要把电源电压调到3.0V仿ss
我是这么理解的，ss下驱动能力弱
而且Vdsat会偏大，可能会使有的管子进入线性区
2.仿ff的时候要把电压调到3.6V，这时管子驱动能力强
但我到现在看到的ff都比tt要好，这样仿真不是浪费时间么？
3.还有sf和fs corner，这种仿真要针对的是哪种可能危害呢？
是不是也在浪费时间呢？
我能想到的可能性就是用NMOS产生的偏置给PMOS用，这时候sf和fs才会出错
但是谁又会用NMOS来给PMOS做偏置呢？
希望有经验的大牛进来说说，答疑解惑
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   concertoI (河马) 于  (Tue Apr 10 23:06:29 2007)  提到:
仿各种corner，主要是看你关心的指标在什么情况下是worst case。
着重关心相关的这几个worst case(可能是ss,ff,fs,sf,还可能和t,voltage有关，是一个复杂的组合)。

做testchip的这种量少时候有没有做Montecarlo分析的必要?
Mont分析是不是主要对沟道长度的分析，对于model里面的参数则在次要。
对于0.18或者0.13这样的短沟道器件，rel_variation多大合适呢，20%?
Skew Parameter Overlay for Model
这个是不是也要分析。