用Cadence的spectre如何方便的进行全条件的Corner验证？

电路要变化的参数很多，
电压三个：2.3V，3.3V，3.6V
温度三个：-40degC，25degC，125degC
负载电阻三种：18ohm，1.8Kohm，18Kohm
负载电容三种：1uF，0.1uF，0.47uF
Mosfet全corner5种：tt,ff,ss,snfp,fnsp
RESmodel三种：tt,ff,ss
BJT model 三种：tt,ff,ss
想要用Cadence做全条件Corner的仿真，算了一下需要3*3*3*3*5*3*3=3645次仿真
要是手动进行仿真的话，会把人给累趴下的，
有没有好的办法，就像Hspice（批量生成网表，批量解析，用measure命令方便输出
解析结果到一个文本中）那样的好方法来迅速找到worst值和worst条件?

有Corner的工具，不过器件应该是同时ff,tt,ss之类的吧，会出现Mos在tt，而resistor在ss？

什么样的Corner工具啊？
用来仿真这种3645次仿真方便么？
另外，Mosfet的corner主要是阈值的区别，应该跟工艺里面的扩散浓度什么有关系。
而电阻的corner主要是阻值的区别，应该跟电阻的有效电阻宽度和扩散浓度什么有关
系。
换个思维考虑一下，NMOS和PMOS都能不同方向的变化，出现了nspf，nfps，更何况是
电
阻呢。

这么多corner，如果保存数据得多大的硬盘啊？

这个比较靠谱些，且条件自己写，比vsde的条件设置要方便些