问两个关于SOI器件得问题？

1.在利用加电应力分析热载流子退化效应中，为啥 soi nmos的最坏应力条件是Vgs在阈值电压附近，而体硅的最坏应力条件是 Vgs为Vds的一半．而soi pmos的最坏应力条件Vgs等于Vds？
2.为啥FD-SOI的寄生三极管增益比PD-SOI的小多了？
谢谢回答

第二个问题貌似能够明白...FD的没有bulk端了，所以根本没有所谓寄生三极管了
我不知道是不是这个解释？