以前做的只有standard cell，现在加了SRAM，基础定义反而不清晰了，求助~~

(1) 以前因为只有standard cell，所以set_operating_conditions -min -max只设置了标准单元的fast和slow的模型，现在多了SRAM，SRAM有单独的fast和slow的模型文件，那么需要加到set_operating_conditions吗?感觉set_operating_conditions针对的只是target library，即只针对标准单元的fast和slow模型文件。现在用set_min_library 来设置SRAM的fast和slow的模型，从report_delay 上来看，应该也是调入了SRAM的fast和slow模型，因为SRAM的端口上有相应的setup和hold的时序要求。

不过抱着认真的态度，有没有人可以说一下, set_operating_conditions是不是只是针对标准单元?

（2）同样，在用memory compiler生成SRAM的fast slow模型文件时，里面的library名字都是我定义的SRAM的名字。说的再清楚一点，就是不论SRAM的fast模型，还是slow模型的library名字都相同，这样做可以吗?是不是要我手动修改一下。
我看foudary提供的标准单元的slow模型和fast模型下面的library名字并不相同。
（3）最后问一下，0.18um工艺的max_transition和max_capacitance大家设置的都是多少，可以共享一下不~

我自己后来又研究了一下，看了看lib文件，看来这个set_operating_conditions设置的是PVT，即process,voltage和temperature，
所以整体设计的slow和fast模式各只需要一种PVT就可以了
那么问题又出来了~设置PVT干啥啊?

正常咱们算延时的时候，不是直接根据相应fast和slow的那个input transition和output load的二维表来算延时的，好像和这个PVT没啥关系啊~

最关键的是，SRAM的PVT和标准单元的PVT还不一致，是不是我自己得手动改了啊?

自己顶~

哎~

帮小编顶一个，知道的高手解答一下

谢谢啊

看到这个问题，我只能帮顶了

谢谢谢谢

我自己先抛砖引玉吧，对于我第二个问题，由于DC和PT在算延时的时候只是根据其中一个corner，也就是说它会根据set_min_library中的max_lib找到相应的器件（这里是SRAM），然后看算的是不是最小延迟，如果是最小延迟的话，再看有没有定义min_lib，如果有定义min_lib，那么min_lib中的pin脚是否能对应上，如果上面的条件都符合的话，就改用min_lib来分析最小延时。
所以也就不需要改min_lib.db中的library名字了

所以set_min_library实际上是在建立一个max_lib.db和min_lib.db一个对应的关系
说得直白一点就是，先找max_lib.db，如果找到了，那么再看是不是在算最小延时，如果是的话，就找min_lib中是不是也有相应的器件，如果找到的话，就用min_lib中定义的二维表来计算延迟

对于第一个问题，我认为PVT会scale到input_transition和output_load的二维表上。
通常应该每个lib中会有一个nominal PVT，算延时的时候，先根据set_min_library找到算延时的lib上，然后看这个lib中的nominal PVT与定义的PVT一不一样，不一样的话，就会scale到相应的二维表上~
也就是说可能，在算最小延时的时候，set_min_library找到了max_lib(因为min_lib中没有相应的元件)，但你定义的是fast的PVT，那么DC会将该PVT值与max_lib的nominal PVT作比较，然后scale上去
不知道我这么理解对不对~

对于第三个问题，就真的没有好心人么?
小编呢

顶小编 好问题

谢谢分享

这么久的事情了，现在都专职做memory controller的设计了物是人非~

我现在也和你当初遇到同样的问题?
请问小编现在这个三个问题是什么结论?
还请不吝赐教