抽库Weak Drive States

最近用siliconsmart抽一个定制芯片0.9v下的standcell，用的tsmc180的工艺，之前抽3v的没有问题，但是抽0.9v的时候delay抽不出来，由于cell比较多，不可能一个一个改index1和index2的值，看了SiliconSmart user guide，上面有一个Weak Drive States，要在config.tcl中设置trailing_delay,有没有大神用过

低电压抽库，我遇到过这两个问题：一、drive mode 为 active 时（输入端加buff)，较小的index1(transition time) 不能满足要求。此时可将drive mode 设为 pwl 或 custom, 在configure.tcl文件下设置（pintype模块set drive_model pwl, pwl 是默认的模式,但没active模式准确），也可以增大index1, 可以在configture.tcl（也是在pintype块下) 或 inst 文件下修改。二、低电压下delay会变得特别大，如果仿真时间不够长（输出端都没反转到50%）就结束了，这是就会报错； 这时可在configure.tcl的pintype模块下设置trailing_delay参数， 如 set trailing_delay 5e-6, 时间单位是秒。至于设多大，你可以用几个们仿真一下，估计输出反转的时间。还有其他一些关于仿真时间的参数如power_period, initial_delay，可以查看siliconsmart文档。