Hspice仿真，漏电流随沟道长度变化问题

各位大神，麻烦帮忙回答下问题。我用Hspice仿真一个MOS管，看静态下漏极漏电流的大小变化趋势，以下是MOS管信息。
MNM0 N_VCC_MNM0_d N_VIN_MNM0_g N_VSS_MNM0_s N_SUB_MNM0_b N18 L=1e-06 W=3.4e-07
我对沟道长度从350nm-18um，宽度不变进行仿真，漏源极加了1.8V的偏置电压，栅源极加了0.1V的直流电压，发现漏极电流在350nm沟道长度时是88pA，1um是442pA，2um是528pA，3um是485pA，之后一直减小。
我的问题是：为什么这个漏极电流不是随着沟道长度减小呢?
按照理论，不应该是350nm时，漏极电流最大吗?
请各位大神指导一下。

如果开启之后，L小电流大， 由mobility等等 domain。
但是， Vg=0.1, Vd=1.8, mosfet 还远没开启，电流有好 几部分 组成， channel亚阈值电流， junction电流， gidl电流。第一部分，这个时候由vth domain， vth随L变化比较复杂，不是简单的一次线性。第二部分， 和L没太大关系， 第三部分，这个区域较小。

谢谢您的回答。我现在就是搞不明白，为什么随着L的由小到大，漏电流会先变大后变小呢。