power EM 和signal EM分别怎么修啊
另外,看到有文档说signal EM可以在net中插buffer,什么原理?
wire不够宽电流密度过大会导致EM,所以power ring/strap 可以加宽,或者加power pad; signal线的话就打断插buffer。个人意见仅供参考~
加宽线即可,
为什么打断插buffer能修EM?
同文:为什么打断插buffer能修EM?
信号线的电迁移有时又称为导线自热,是由于互连线上信号的高速变化对电容的不断充放电而引起的。当脉冲通过导线时,导线本身的功耗将使导线温度超过氧化层温度。氧化层和导线之间的温度差异会产生机械应力,最终使导线断裂。低K值的电介质热传导性差,机械强度低,因此用其制作的导线自热问题将更为严重。导线自热问题由来已久,但在0.25微米及其以下工艺必须采用智能化程度更高的设计工具来解决导线自热问题,否则芯片将无法工作。
理论很好,但实际care em的情况很少,我至少在28nm以上的设计很少看到人去修em,
My guess is to break the wire by inserting buffer is to allow single driver has less load to drive, so the capacitance being charge/discharged can be less and produce less self-heating.
agree
can't agree more...
光打断线插buffer不能修EM。但是差了buffer,那么前级驱动可以降低,就可以减少EM了。signal EM和前级驱动管尺寸相关。
8楼正解。
补充一下:插Buffer的位置也需要注意,不然负载分布不好,还是会有EM。
论坛里果然高手如云啊,对EM又加深了理解。
有个疑问,请问小编是单纯想问问题,还是真正遇到了EM高风险的power/path,那么请问这个风险的量化标准是什么?
我用EPS去跑EM,也就是看到个结果,但是多大是大,需要修,多小是小呢?没概念。
请问衡量EM的参数是什么
double width ,double via
AGREE
EM多少要修也沒個準, 端看design 的應用,
always on 跟會 shut off 的標準就不會一樣,
也看你的產品是保用3年, 5年 10年也不一樣