萌新求助：一个voltage area要做power gate，如何确定power switch的密度呢？

40nm工艺，一个模块需要powergate掉，create_voltage_area划了大致的区域。但不知道怎么确定插入header switch的密度。问题1：不知道create_power_switch_array中 x_increment y_increment如何确定。但模块的工作电流大致知道，IR drop大致知道。需要多少power switch通过header switch的等效导通电阻按IR drop要求计算?
问题2：按公式计算一个header switch的等效导通电阻还是有库文件里有?（深三极管区等效电阻公式计算）
萌新求助，希望各位大佬施以援手~

icc里可以根据ir drop需求 计算出psw cell个数 ，我一般都是尽量多加点，做完了跑下ir分析

多谢指导，能稍微具体一点是哪个指令吗，萌新谢过了~

之前讲错，是可以根据ir要求，size psw up or down ，看下optimize_power_switch。

用exploree_power_switch 来算个数

非常感谢先去研究一下~再次谢过

大神大神man了一下explore_power_switch，使用这个命令前需要先定义ps cell的power-on resistance这个参数无法获取啊。

退一万步讲，spice总仿的出来吧...

这个我就帮不了你了

谢谢~

感谢热心回复，找到了库的PDK，奈何不会spice仿。只能用Vituoso先搭一个再仿一下看看了，有点蛋疼，谢谢哈

楼上的朋友说的很好啊，如果可能的话，也要考虑一下wake up time和in rush current。power switch的数目是一个方面，连接方式也是一个比较难的点哈。

求大佬指导啊~

UPF里定义了power switch 了没?

大佬，UPF里有定义比如：
explore_power_switch -lib_cell {XXXX/HDRDID1BWPHVT} -header -x_increment{20 50} -y_increment{30 60} -voltage_area DOMAIN_A-virtual_pg_net A(UPF定义的DOMAIN_A中的primary_power) -real_pg_net VIO_A(UPF定义的power_switch的always on电源)
UPF对应的定义
create_supply_net A -domain DOMAIN_A
create_power_switch switch_A -domain DOMAIN_A
-control_port {XXX}
-input_supply_port {VIO_A}
-output_supply_net {A}
-on_state {}
-off_state {}
-ack_port {}
map_power_switch switch_A -domain DOMAIN_A -lib_cells HDRDID1BWPHVT
set_domain_supply_net DOMAIN_A -primary_power_net A -primary_ground_net VSS
麻烦大佬了~谢谢~

"set_attribute [get_physical_lib_cel XXXX/HDRDID1BWPHVT] mtcmos_pin_layer M1 "
这个有问题的，应该没设上，你get下attribute看看就懂了

这个我get_attribute试过，好像也设置进去了explore_power_switch会有什么地方设置错了吗

get_attribute结果

要加上pin name

非常非常感谢~请受萌新一拜~终于跑起来了~