MTCMOS处电流密度最大，这是为什么呢

手册上有句话-->True VDD和Virtual VDD的网格通过MTCMOS连接，MTCMOS处是电流密度最大的地方，所以为了减小IR drop，在MTCMOS上方尽量用宽金属走Power Strap;
想请问下，为什么MTCMOS处电流密度最大呢?

电源线一般都是em最容易发生的地方， 这个上面讲的没啥意思，
而且strap肯定是较粗的线

是不是因为MTCMOS是strap与rail的连接处，导致此处得电流密度最大呢