40nm工艺下的芯片所有MOS管沟道长度都是40nm吗？

最近想到一个问题，一种工艺尺寸下面所有的MOS管的沟道长度都一致吗?我觉得既然可以制造40nm的管子，那么65nm、90nm、130nm、180nm也应该不在话下啊。
这个问题我请教过一个资深工程师，他说一种工艺下只有一种沟道长度，可能是由于光刻机方面的原因。
但是我看过一个4onm的IP核电路图，里面管子确实基本都是40nm的，但也存在150nm的管子。
好奇发个帖问一下，求大神指教。

最小只能40nm，可以更大。数字电路一般不用Long L Device，因为慢（除非是要省电或获得大延时）

>= 40nm ,多少nm尺寸都行的，大的肯定不在话下

可能我看的那个电路是模数混合电路，它里面有些150nm长度的器件。

如果不考虑性能的话 随便大多少都行，只要foundry说可以做。 我就用28nm的片子里做了一堆大几百nm的管子，就用来做decoupling电容而已。