Bad device in LVS check, 导致芯片内部可能短路。
我最近在测试芯片，但是发现有几处可能出现了短路的问题。回头查版图，先说明一下，留片的时候，版图用的是老的PDK,但是现在检查版图的时候转换成了新的PDK.老的PDK版图没有任何问题，LVS全部通过。但是转成新的PDK以后，检查LVS的时候通过不了，报出来的错误有property error，incorrect instance，并且还有extraction result warning。就在这个extraction result warning里面，全部都是关于BAD DEVICE （在我的电路中都是dummy device）。而且在property error 和 incorrect instance的问题也都是关于dummy device的。同时不管是在老的PDK还是新的PDK中，DRC并没有抱错。当我删去这些dummy device之后，重新检查LVS，LVS顺利通过。这个问题让我十分费解，如果说dummy device在生产过程中已经被损坏了，为什么不在DRC中抱错，而在LVS中抱错。并且LVS的错误只在新的PDK检查中才出现。但是在新的PDK中LVS报错的地方跟测试到的短路地方非常一致。所以我猜测是由于dummy device损坏了，并且还同时损坏了dummy device紧邻的器件，所以导致了短路。
有没有人遇到过这种问题啊，帮帮忙吧。多谢啦。
dummy device做坏的可能性会很低，应该电路设计时或layout设计时存在问题，
你所用的dummy device很可能是gate floating的状态。
dummuyDevice做坏了的话，正常器件还不一样坏掉啊。
我猜有可能是你的dummuyDevice接错节点了。
有些没经验的线路人员想当然的认为所有dummuy器件都是接到地线或电源线上的(P管三端接电源，N管三端接地线)。
但hotwell的情况不是这样的。会导致短路情况发生。==>这种错误，我见到其他人犯过。
太感谢你的回复了。在测试中我发现也可能是出现短路了。至于你提到的hotwell的问题，我第一次听说，确实没有经验，能否再说的详细一点。最郁闷的事情是用老版本ＤＲＣ，ＬＶＳ检查的时候没问题，所以也没太注意，后来改成新的版本之后，ＬＶＳ过不了了，这才开始注意这个问题。很郁闷啊。
多谢你的回复，非常确定ｄｕｍｍｙ ｄｅｖｉｃｅ没有ｆｌｏａｔ，都连到了相应被保护的器件的ｓｏｕｒｃｅ。开始我以为可能是老版本的ＤＲＣ不够好，在ａｎｔｅｎｎａ ｃｈｅｃｋ的时候没有检查出来，所以导致ｄｕｍｍｙ ｄｅｖｉｃｅ的ｇａｔｅ在生产过程中被击穿了，但是后来觉得如果只是ｄｕｍｍｙ ｄｅｖｉｃｅ的ｇａｔｅ被击穿了也没什么事情，本来就是短路连接的，只要被保护器件没事儿，一样可以工作。但是后来发现ｄｕｍｍｙ ｄｅｖｉｃｅ应该和被保护器件短路了，也就是ｄｕｍｍｙ ｄｅｖｉｃｅ和被保护晶体管的最后边的两个ｆｉｎｇｅｒ连在了一起（并且可能是被保护器件最外面的两个ｆｉｎｇｅｒ的ｓｏｕｒｃｅ和ｄｒａｉｎ也都连在一起了），只有这样才可能造成短路，而且在ＬＶＳ报错中也显示找不到被保护器件最外面的两个ｆｉｎｇｅｒ。
对啦，我查了一下，对于ｈｏｔ ｗｅｌｌ的定义，我只查到了ｈｏｔ ｎｗｅｌｌ， hot nwell is a term for n-wells that are not tied to vdd！．但是我出问题的地方是ｐｓｕｂｓｔｒａｔｅ， ＮＭＯＳ，并且我十分确信ｐｍｏｓ所在的ｎｗｅｌｌ全部接到ｖｄｄ！了。
对比下两个LVS rule文件的异同。
“当我删去这些dummy device之后，重新检查LVS，LVS顺利通过。” 怀疑只是FILTER OPTION不一样而已。
hotnwell通常是指不是最高电压的 nwell， 相对应就是cold nwell，也就是电压最高的nwell，
如果只有一个电压， 那就没有hot，cold之分了，缺省都是cold nwell，
多谢你的回复，其实我也很想对比LVS文件，但是老版本PDK已经全部删掉了，强迫我用新版本PDK，所以现在真是有点死无对证的感觉。
谢谢。顺便我想问一下加dummy的方式，我的dummy一般都是加在source上的，也就是说source的电压是什么，dummy的电压就是什么，我觉得这种方式没什么问题。有什么好的建议吗?谢谢。
设计未完成前就删设计数据是一大忌啊。没占多少地，留人家一点生存空间呗，删了也没啥好处，不删也损失不了啥