SRAM POWER RING
时间:10-02
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用MEMORY生成工具生成了一个双口ram,在文档里有1个计算它的power ring公式
W=Iavg/CC---电流密度,在生成的pdf文档里Iavg=16mA,如果取C=1mA/uM的话,W应该为16um,这个值太大了,chip的power ring才是10um,我这样理解对吗?
W=Iavg/CC---电流密度,在生成的pdf文档里Iavg=16mA,如果取C=1mA/uM的话,W应该为16um,这个值太大了,chip的power ring才是10um,我这样理解对吗?
1)Iavg不是和频率有关吗?如果真的那么大的话,chip的power ring就有问题了
2)可以用多层metal叠加,那样宽度没层的宽度就小于16um了
chip ring 10um太小了,
ram ring和chip ring一样大,这已经是极限值了,一般小些,
啥工艺呢,还是ring类型,后面都是strap型,没有ring的,
该为16um,,chip的power ring 是10um,这个值太小了
我也在做这个东西,可以交流下啊。现在也在考虑这个电源线的宽度。
sram ring的宽度还和IO边 strap 的数量有关的,user guide 里还有这个公式。
你的chip ring 的宽度10um是怎么算出来的呢?
我现在考虑电流,比方说Iavg = 12mA,则每一边分3mA电流,则W=3um
晕,不是你这样算的吧,Iavg/Jmax
按照你这种方法可行吗?
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