请教一个问题，如果我想自己做一个定制的SRAM，大概要怎么走？

如题。
我想在有如下几个问题。
1. 这个定制的Memory（想提高CPU的性能，不想用artison的Memory，Verage的用不起）该考虑哪些问题。
Memory的模型已经有了。
2. Memory的IR应该定义在多少值?
3.假如我用65nm的工艺来做这个Memory，那么SI的Timing要Signoff到多大的值?
4.Clock Tree 有特殊的考虑吗?
5.Scan如何做，自己做Bist?
6. Timing的Signoff，用PT来Signoff，还是PrimeTime(笔误，应该是ninotime)?我个人Prefer 用synospys的工具来做Timing signoff
谢谢大家的指点。

6，PT就是PrimeTime。
个人认为定制的设计，PT恐怕做不了

1. find the max delay row decoder and column decoder
2. estimate the bit line load or use full memory cell to do simulation with HSPICE or HSIM

我想你是想用全定定制设计，后用工具分析，据我的经验，能做IR分析，SI分析，PT好像不好做，毕竟时序你需要提取，提取的精度直接决定了你的PT结果。

就全定制来说，nanotime 2012的宣传手册中提到了提供sram逻辑库的特征化功能，还提供了多种STA constraint检测，但是在本论坛里找到的2012.12软件版本里的doc里标明暂不支持这些内容。所以还是只能靠晶体管级的动态仿真吧?不知我的想法对不对，因为我也是刚开始做起。