华虹CZ6H+工艺设计规则问题

在华虹CZ6H+工艺中对于latchup问题有一条规则是衬底接触、阱接触必须放置在使得所有晶体管的diff在扩大3.72um范围以内的要求，如图所示，请问有谁知道这是指的diff的所有点都要在3.72um范围以内还是只是指的边缘的四个角?如果指的所有边那么对于四方交叉画法中间边缘肯定难以满足要求

应该是所有点都要在3.72范围以内

如果真有这个限定 四方交叉画法的中间肯定也要打上接触孔了来满足这个rule的要求
或者是mos的W值弄小点?

那岂不是太苛刻了，3.72um范围内就要有阱接触或衬底接触