这种情况下，M5横向的power mesh作用是否很重要？

以6层metal工艺为例， metal6纵向做mesh，n组power/gnd pair，与metal1 power rail连接。 metal5横向做mesh，也是n组，但只和metal6 mesh连接。
P&R后， 发现stdcel的metal1 power rail很少有连到 metal5 mesh上的， 这样的结果似乎让metal5 mesh的存在起到副作用： 至少metal5 mesh的存在覆盖了某些stdcell row，这些row的布线资源受到影响（只能打到metal4， 然后绕行）。
横向 mesh的存在除了能降低整个power/gnd网络电阻的作用，改善IR drop，其他的正面作用似乎没有啊， 请大大指正。

在你的例子中，M5可以不用，直接M6 stack via 到M1就可以
但是，并不等于所有情况都可以不用横向的power mesh
为了避免引起误会，我把你的标题改了

大大， 再把话题延伸些了， 知无不言， 言五不尽嘛， 呵呵。 你能举几个例子吗， 底层的stdcell tie-pin或power rail会主动找横向mesh的?
或者，怎样guide tool去尽量多连接横向mesh?

不要逼着tool去把横向mesh直接连到横向follow pin上。应该选一层纵向mesh，连横向follow pin
有时，横向也是有用的，比如：
8层layer，最高层很宽很厚，所以M8是纵向mesh，M7是横向mesh，再连到纵向M6上，最后到M1上

横向Mesh（本例M5） 是需要的，主要是保证了整个Power mesh没有IR和EM问题。除非Design的Area很小，否则，一般来说供电的IO要分布在Chip的4边，纵向的Mesh保证了Top和Bottom的P/G IO的连接，那么Left和Right 上的P/G IO的连接如何处理?

对啊，至少应该有一层横向的，我怎么把这个给忘了

Left和Right的P/G IO 与 ring 连接啊， 不是吗? 与横向mesh有十分重要的关系吗?不懂的问。

ring能有多宽?而且通过ring流到top或bottom，那得走1/4圈哪

老大貌似有点急了，直接打电话告诉他，哈哈。

没急

这东西说用说不用，全看tool 结果吧，哪里能直接说。
metal mesh 本来就是个简单电阻问题，简单算算吧。
在M6为厚金属下，主电流从上下灌下来，应该是最主要的电路。
M5 没有也关系不大，毕竟M1还有一些横向的。
一定要跑工具的。