个人对于高压、低压管子与hvt、lvt管子的一点想法

电路设计中，hvt表示阈值电压Vt较高的管子，他们开启比较慢，漏电流小，功耗小（可通过掺杂重一点实现）；rvt表示Vt普通的管子，开启速度居中，漏电流居中，功耗居中；lvt表示Vt较低的管子，开启较快，漏电流大，功耗大（可通过较轻的掺杂实现）。
一块芯片根据供电电压的不同，分为低压区域，高压区域。比如我们说管子需要能承受3.3V的电压，指的是源端的电压，而实际上管子整体都在承受更高的电压。
在版图的安排中，先划分高低压区域，然后按Vt的不同排放管子。
个人的一点看法，欢迎大家指正！

感谢分享，受教了

学习了，谢谢

学习了，谢谢小编

同意

学习学习！

如果分开以后导致连线繁琐，可在方便连线的同时在器件周围添加保护环，避免少子影响

请问小编，那3.3V和1.8V的管子就是指两种管子的承压能力，那在3.3V下就不能用1.8V的管子?

应该是不能，我只看过3.3v的管子用在1.1v的电路。你可以找电路的人确认

学习了

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电源是成对出现的，只有架在电源对中间的器件才可能需要承载高电压，仅这一点儿感觉需要商榷。其它的看法都同意。

这些LVT，RVT和HVT放在同一块数字芯片里面，都是同一个电压供电吗?譬如都是1.8V?菜鸟问题，表笑

可以用的，但是这种情况下要注意device reliability的问题， 1.8V的device最大跨压最大也就是1.98V左右，需要注意。

“比如我们说管子需要能承受3.3V的电压，指的是源端的电压”
承受的电压应该是栅氧化层上的电压

借此提问：hvt, svt, lvt cells, 其prevent x-talk的能力，谁强谁弱?(数字布局布线里考虑的)
希望有人提供合理的理论解释

受教了，谢谢小编

学习了

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study

学习了

有些回答没明白是针对哪个?谢谢

谢谢小编分享

请问同一颗芯片在下面情况的时候mask会增加吗?谢谢！1、仅有LVT device
2、同时有LVT和RVT device

HVT开启比较慢，漏电流小，功耗小（可通过掺杂重一点实现）
HVT 电压要求高所以开启慢， 漏电和功耗小怎么理解?