ESD的管子为何要加SAB？

柯明道教授 在深圳产学研会议上有回答过这个问题，SAB可以让ESD电流均匀。我不太明白原理。
有公司做过测试，SAB能提高ESD器件耐压。
简单点说，SAB层增加GDPMOS GGNMOS源端电阻，让瞬间电流变小，不至于烧毁MOS。CMOS工艺里ESD电流大约10mA(如果我没记错的话).

谢谢，现在理解得更进一步了

SAB 也就是salisideblock 的简写，saliside指的是硅化物，在工艺中管子的源漏端打孔的地方都会做这个，目地是降低其电阻，那么ESD管的源漏端打孔处加了这个saliside block也就是说惟独这个地方不做这个，但其它的管子没有加的这层还是要做的，这样的话ESD的源漏的电阻就比以前增大了，能很好的起到防护静电打坏管子的作用！
希望对你们有所帮助！

谢谢，解释得很细致

很好的解释，简洁易懂

鼓掌！

“ESD的源漏的电阻就比以前增大了”还可以进一步推论 为什么引起ESD 击穿电压降低，保护MOS器件

学习了，蛮好。

SAB指什么意思

4# 已经说了

学习了

nicer

SAB能降低击穿电压?
SAB肯定是增加CT到GATE的电阻，但这个电阻相对HBM模型里的1.5K欧根本微不足道，所以也起不了限流的作用（何况ESD通路上本来就要是降低电阻的）；
要知道SAB的作用得从MOS管SNAP-BACK入手才是正确的方向，兄弟们！

去除diffusion表面的siliside，增大电阻，有效延缓大电流放点路径

SAB相当于一把伞，把硅化物挡住了，所以有伞的地方电阻会高

归化阻挡层。

看了半天，没看懂！怎么理解，怎么矛盾

SAB = salicide blocking 一般都會在Drain, Source 端加上金屬矽化物 但是在ESD的情況下 如果沒有去除salicide (salicide很會導電)會讓ESD電流聚集在 drain 靠近 gate區 直接灌入 PN接面 會損毀此接面 造成損傷 因此要加SAB 讓整個Drain端當作第一崩潰點(snack back) PN面積大灌入大電流才能保護接面(用大面積之Drain端區域散熱與防止migration)

SAB是反版，加在CONT和POLY之间的吧?

19楼有道理
没加SAB时，器件表面有层金属硅化物，电阻率很低，电流顺着表面走。加了SAB，电流顺着源漏走。

学习了。

讲的非常好

19，21说的非常好'谢谢了

学习了

学习了，谢谢

鼓掌！

salisideblock

学习了，谢谢

首先你得知道SAB这个层是干嘛用的吧