TSMC 0.18工艺，Varactor电容询问
时间：10-02
整理：3721RD
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5V工艺，有一种电容类型：在N阱上做了个Nmos，SD接一起接vss，GATE接高电位，这种电容原理是什么。
是耗尽型的吧
对前端而言，这种电容Q值会更好；
平时我都是这样理解的，这种电容实际上就是普通的nmos，加入了一道离子掺杂的工艺（nwell），可以改变这个mos管的阈值，漏电流也会更好；
不光是TSMC 0.18um有这种管子，所有的cmos工艺都会存在这种device，只不过看foundary有没有提供spicemode而已；
學習了
这种MOS电容是不需要阱电位的