N阱和P阱多晶硅电阻的区别？使用方法讨论

poly Res，即多晶硅电阻，是我们IC设计中常用的一种电阻。它也具有两种不同类型的电阻：N plus和P plus。
请问哪位大神能说明一下这两种电阻的区别?
使用时，我常用N-well将整个电阻区覆盖上，并围上N tap，即给上电阻的VDD沉底点位（因为nwell隔离噪声比较好）。
那请问是否n+和p+两种电阻都能盖NWELL?给VDD沉底点位?至少目前我使用起来发现这两种不同类型电阻都盖nwell都没甚没问题。

最近也很疑惑，p+poly注入了P+是有什么用

POLY RES 下面用NW只是起到隔离衬底噪声的作用，在NW上面的POLY RES 加N+ 或者P+ 掺杂都可以，不同点就是N+和P+掺杂后的电阻率不一样，没什么其他的作用啊

但是我记得好像是28nm还是16nm的工艺，poly电阻的模型里面能够选择well类型，那不同的well类型对应的参杂类型不同。似乎好像有某种对应关系。

温度系数不同