为什么有的poly电阻layout上面用M1覆盖着啊？

一般建议电阻上不要用M1走线，会对电阻产生影响。那么如果都加上M1就可以保护起来。个人理解，不知道是否正确。

POLY电阻上加M1，那时屏蔽层，起到保护电阻体区的作用，使阻值更精确。

不过M1通常看到的都是floating的做法
原来是接地的效果更好吗?求解

看來是做 屏蔽的
有接電位 會比較好
乾淨的 ( vdd gnd )
最好

可能是人家做着fib用

看不懂

3楼的说的有理，是屏蔽用的。你可以放心的在电阻体上走线了。

同轴线的原理，屏蔽重要信号。貌似不为了在电阻上走线。而是电阻里面走的信号很重要。

电阻的阻值受电压偏置影响，在电阻上覆盖一层接地的m1，进行屏蔽保护，以免电阻阻值变化

Poly电阻上是否加屏蔽层M1金属，如何判断?见CSMC中rule建议poly电阻上加M1保护，但SMIC、TSMC中rule没有说明，求tsmc、smic中电阻是否加屏蔽层M1?

因为器件在刻蚀的时候是处在一个强电场的环境中，这个环境中存在很多静电，之所以加个M1盖在电阻上是将静电吸收，然后再导入地！
还有一个原因是从氢化的角度来讲的！

metal1和电阻周围的G-ring同电位，电阻好像被一圈同电位的包围起来，起到静电屏蔽的作用；坛子里还有人说过fab建议盖满metal1可以防止氢化对电阻上离子浓度的影响。

那请问在电阻上直接加满了metal 1 不会导致在刻蚀metal 1时 氢化更加严重 啊，求解！（不是说电阻上不要走线就是为了防止氢化的影响啊）

这个我也很疑惑，没讲清楚，而且常用的UMC/TSMC design rule里也没有这条attention。

如果电阻排列后面积占得很大，电阻上盖metal1也可以解决电阻区域metal1的density问题呀

隔离噪声吧

如果在poly上面加金属作为屏蔽，那么除了m1之外，其他金属行不行呢，有什么影响吗