BCD工艺高压MOS管

这么久连一个回帖的人都没有吗?

我调出来的PDK怎么两个环已经有了，不明白

你调的是哪种MOS管?直接生成的版图大部分只有一个高压阱 保护环需要自己画不然DRC报错

所有的器件都有啊，我也不知道啊

你是csmc 0.5BCD工艺的吗?怎么我这直接调个管子drc就会报错

一班提供此工藝的公司一定會有PDK且不准你亂改, 仔細看PDKcell

可以按照design rule上的结构化，好像isolation ring这一圈要粗很多，最近也在研究0.25umBCD工艺

我用过的工艺里， 一般来说有isolation ring的，会有nbl这一层，用来和sub隔离或者衬底电位不同的管子隔离，guard ring是自己加的，做衬底接触，防止寄生什么的。

请问你有这个工艺的仿真文件吗?0.25BCD工艺的

这种东西应该PDK里有。design rule 不清楚就要跟他们讨论。说的都很容易，guard ring和isolation ring
做隔离高压都是这样说，你自己画的出了问题他们不认账，那你就悲剧了

Isolation ring 主要用于隔离，用于高压Nmos 单管隔离，如果是M=多个，可以用一个Isolation ring，但是如果是衬底电位不相同时，注意一定要单独用Isolation ring，CSMC的BCD 工艺，它的Isolation ring 是一个阱环，下面有埋层BN。注意nwell 包n+的rule 一般要2-3u。
guarding ring的话，可以用来做高压和低压部分的隔离。两个不同电压的高压mos 也用guarding ring 隔离
CSMC的BCD工艺的PDK 有个弊端，貌似不用它的PDK调管子，LVS文件会认不出来器件。

选中器件，Q一下，在属性里，有add guardring，点击或取消就可实现有和没有guardring，PCELL设置好了的。

求工艺库。

最近要开BCD工艺了，来学习学习

thank you ！

求工艺库啊。

应该Pcell可以调出来的

PCELL可以调出来的

一样啊，接地的p-tap打一圈接地，你空间足够就画粗点

BCD的高压器件一般比较复杂，最好直接调用PCELL或者参考PCELL

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