大家讨论下probe pad,test pad, bonding pad。

如标题：大家能否讨论下probe pad,test pad, bonding pad，这些的区别，如他们的大小，对周围器件的影响（应力等。），probe pad定位是不是要非常精确，这个坐标是由版图人员直接提出来的吗?一之分不太清楚probe pad 和test pad 知道他们大小不一样，比知道test pad是否也和probe pad一样扎探针。请高人指点。

bondpad 就是钝化层开口，即passivation layer ，这个是封装的时候打gold，copper wire出去到pin上的，
test pad/probe pad按理是不要打bond wire到 封装的pin上去的
他们都有bondpad layer，是为了从上面好接触 ，
test pad可以封，也可以不封出来，
probe pad可以用于测试电路某一点，通常是顶层金属画一个方块，比如10x10um，
有的probe pad是放在IO区域的，有的probe pad是耐高压，比如12v flash test pad，
其实test pad，probe pad都是简单的金属构成， 里面没啥电路，原则上金属连接
就能接到里面去

probe pad是需要在CP时候 用探针卡点上去测试或者trimming用的， 所以probe pad是有一定的排列规则的。一般size: 60*60um左右，分布在芯片边缘一排 就可以。如果有特殊的要求，那就要和封装测试工程师确认了。
test pad一般定义是人工探针的开窗， 所以尺寸比较小10*10um~20*20um都有。 排列也较随意无特殊规则。
bonding pad就是需要键合金线的PAD。 尺寸60um~80um左右， 结构design rule会详细规定的。

bonding pad就是需要键合金线的PAD。 尺寸60um~80um左右， 结构design rule会详细规定的这个规则是工艺规则吗

多谢指教

好深奥的！