求大家帮我看我这高频VCO版图。

这是我设计的一个振荡在12.5G的一个正交VCO，采用TSMC65nm GP工艺。上面是完整的电路图，所有的管子采用的是射频管。这是我同学告诉我的，之前我用的是普通管。我想问，VCO是否需要射频管，相对于普通的管子，用射频管又会有怎样的弊端。下面的图是我刚画的pmos_rf的交叉耦合对。求大家帮我看看有何不妥。谢谢了。感谢啊

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求大家帮我看看啊

射频电路注意寄生就好了 。具体的问题需要提出来才能帮你分析

您好，我想问对于我这个12G-13G的VCO，我的后防要做到高的频率，才能是流片回来VCO振荡在这个区间?是否工艺角仿真的结果就和流片回来的结果接近?

我就想知道，你们为啥一眼就看出是射频电路了。

射频电路的结构都差不多那样。哈哈

因为这个电路用的应该是交叉耦合结构，里面有电感，普通的模拟的PLL，很多都是用环形震荡结构，所以能看出来，应该是射频电路，看小编的应用区间，难不成小编做的项目是微波领域?

spec上写10G，测试下来最多也就是8.5G到9G左右。
你要是想实测12~13G，后仿怎么也得到14G才成吧?再有就是看工艺了。有些工艺在高频下漂得略离谱。这个情况，仿了也白仿。
ps:本人刚入行。

使用rf器件，可以更加准确的提高仿真精度，一般rf器件在版图上不要进行合并，就是为了保证shematic中的器件model与instance出来的器件layout后仿性能尽量接近。一般射频VCO的实际频率与前仿有个10%-20%的误差很正常，能trim回来就算成功

这样的面积老板能接受吗?

太大了，除非是测试

嗯真是太大了
成本太高

学习中！

额，好高端。

什么是rf器件?

小编的12G VCO的电感用了多大的啊

你好 我也在画VCO版图 遇到了一些问题，想麻烦您帮忙看看~
http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=597992&extra=

学习中