新人，关于反相器版图的小问题

已有PDK，PDK里有nmos管和pmos管的版图，我想请问如果是要画一个简单的反相器版图的话，不是可以直接调用nmos管和pmos管的版图，然后直接用金属和多晶硅相连就可以了吗?为什么下面的反相器感觉不是直接调用两个管子呢?

一个是基本单元有特殊用途的！以后就明白了！

请问是什么特殊用途~

那个也是直接调用的pmos和nmos组成的反相器，但通常是做数字PR的标准单元，模拟里面也可以用（有的情况DRC会稍有不同），模拟的最好自己手画

省面积

第一张是PR里的，其他两张是基本的pmos和nmos就是因为width太小才会让人觉得很奇怪

本质上还是用的nmos和pmos啊！只不过，外加了保护环而已

第一个是stdcell，做自动布局布线用的， 有统一的PITH等要求，打个比方砌个路基墙石头大小不一都可以，但是盖房子用的砖那就得是一样的厚度。希望能够理解。

一样的，不过是加了衬底接触并进行了优化，也许这样不太好看他为什么做成这样。如果你试着算下这个工艺下的格点并自己做个网格加上去就明白了，数字标准单元都是格点的整数倍。

也就是标准化而已

虽然很多standard cell是这样画的，但我一直对这种layout有疑问，衬底没有contact接出来不会有问题吗?虽然active连在一起，但是有个PN结呀。

应该是靠上面的salicide连接的吧

它的反相器的NMOS,和PMOS是 经过调整后的。它那样搞是为了做成一个高度和其他的门相配。这样做出来的很多门就能做成一排排的，高度也一样。这样好连线也好看。例如你电路里有几个门的时候，排一排，连下线就行了。至于下面的那2个图的小MOS，是给你做其他电路的时候调用方便的。例如电流镜，对管，啥的。是可以PCELL改参数尺寸的。

如图这个PR的STD库是有专门的subcell用于衬底连接的，目的还是为了节约面积。所以普通cell里面没有衬底孔。

这种STDcell是有专门的subcell用于连接电位的。所以普通cell内部没有衬底电位接触，其目的还是为了减少面积。

其实你是看到特别乱，没有像下面两个管子那样有规律，你仔细看其实它就是两个管子，只不过它们的active区是弯曲的，这个一般是用于为大量使用而定制的stdcell，数字里面会大量使用。

同新人，刚好也在画inv，学习一下~

两个MOS管串联相当于L1+L2只需画一个栅极就行，这样看起来更简便。