请教一个MIM电容的问题

你这问题我也是醉了。看来layout上的金属都不能相交了，因为一打via它们就短接了，这样的IC能有什么用?

相邻金属打上通孔难道不是短接吗?（M4 和M3打上VIA3）

谁叫你直接在上面打孔了?

M3，M4，MMC，VIA3 在这个时候，MMC类似于金属，此时VIA3是连接MMC和M4的，VIA3并没有穿过MMC层到M3，而真正的电容是M3和MMC的，

工艺要求是这样做，所以我才纳闷啊

谢谢解答另外再冒昧问问，工艺上是怎样控制via不穿过mmc到达M3层的，因为其他via3都是这样的目的，而电容上面的via3为什么单独不行?

建议小编问工厂要一份MIM的剖面图，或许就会明白了。

同意樓上的說法

这个你就得问Fab了，

我都没有权限跟fab联系

MMC工艺文档里是怎么描述的?

那你好好把Design Rule中MIM的内容看看，应该会有说明，比如会提到哪层作为上极板，哪层作为下极板。

哈哈哈

看下这个剖面图就知道是咋回事了，这里的FUSETOP就是你的MMC层，左边的没有MMC这层，M3经过V2孔流入M2，这样就连接起来了，但是右边M3通过V2孔到了FUSETOP层，并没有到M2层，所以M3和M2并没有短接！

为什么这里图片没发上去，图片见楼下！

谢谢你解答，看到这里我有个疑问。这里有FUSETOP（即我说的MMC）的地方，via孔没有那么深，所以电容的上下极板没有连接起来。那么问题是，同一批次的via孔同一时间制作，怎么保证有FUSETOP 的地方via孔就做的浅一些呢?另外，增加via把M3和FUSETOP连接起来的作用是什么?请教了，谢谢

这个问题常有人问，这个帖子也有一些天了，看了看大家的解释，说法本身都是正确的，但是似乎没有正面回答小编的问题。在这里把我的一些浅见给大家说一下，供大家参考。
说起来简单，fab在做via的刻蚀的时候，控制的不是深度，而是材料。
层间介质是SiO2，电容的下极板表面是TiN，可以认为是一种金属，在选择via的刻蚀液的时候，选择可以只跟SiO2起反应的，这样在遇到金属层（无论是下层metal还是mim电容的上极板）的时候，反应即停止，这样看剖面图的时候，via的深度是不一样的。当然实际上会复杂的多，例如会加入时间控制等等。

请注意刻蚀时控制的不是深度，请大家再想一想，PIP电容，不同metal层次的开窗，这里的contact和pad，其实都是同这个via一样的原理。
2015年的最后一天了，祝大家新年快乐，心想事成。

新年快乐！谢谢你的解答，我明白了。祝工作顺利

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