SOI工艺及注意事项

SOI么有用过，以前在学校里学过
SOI silicon on isolator , 就是在绝缘层上的很薄的一层硅上面做器件，器件有FD和PD两种
fully depletion 和 partial depletion，就没有衬底的概念，就是一个3端器件，source+channel+drain
SOI器件到衬底的漏电会小。但是SOI非常不利于散热，由于衬底是绝缘层，那么期间两边都是绝缘层，散热很困难

3Q~

SOI选择工艺首先应该确定薄膜、厚膜，最基本的理解就是FD/PD.
SOI一般用于抗腐蚀，低压低功耗方面，国内最常见的就是军用，例如航天771,772啦。
SOI相对于体硅工艺有很多好处：不用担心latchup，亚阈值斜率大，最直接的好处就是器件在亚阈值区漏电小，或者说器件可以工作在比较低的电压下。
对薄膜SOI而言，源漏区耗尽区小甚至只在沟道一侧才有，寄生电容小，同样功耗下 可以获得较快速度。
SOI最主要的问题是wafer很贵，至少是相同体硅wafer 6倍以上，一般器件是用不起的

你好：我司正准备两个SOI项目，苦于找不到合适的foundry。请问您知道哪家foundry 可以做 SOI 70V BIPOLAR工艺吗?

学习了，MARK一下，持续关注！要是有个剖面图就好了

多谢！

应该注意的是从下往上所形成的寄生MOSFET，BOX作为起栅氧化层，SUB为栅极，EPI为衬底

我们现在画的SOI的版图与CMOS区别也就是栅不同，一般画成T型或者H型等

terry

关于SOI（silicon on insulator绝缘硅）MUMPs工艺流程

SOIMUMPs工艺流程从SOI晶圆开始， 包括处理晶圆层（400um固定厚度），埋氧化层和器件层。有10微米、25微米两种器件层厚度可选。在SOI晶圆每面使用一步光刻工艺，SOIMUMPs允许设计者从SOI晶圆的两侧蚀刻到埋氧化层，能够制造通孔和光通路。两个金属层，一层可以形成键合焊盘，另一层可以形成反射层，都包括在标准工艺流程中。SOIMUMPs工艺流程的最小特征尺寸为2微米。可以使用SOIMUMPs工艺流程加工的器件包括：陀螺，光学器件和显示器件等。

多谢各位的讨论，现在正需要了解

how about TSMC SOI process ?
有其他家有SOI嗎?

入门难呀

搭车请教一下，SOI版图和CMOS工艺版图只有栅不一样吗?SOI工艺中不是已经没有阱了吗，是不是画的时候正常画，不需要再画阱了，那STI层在版图中不用体现吧?谢谢谢谢！