Smic 180nmrf 是不是双阱工艺？

NMOS的衬底和源级接在一起，但是不接地。我想问这个Smic 180nmrf工艺能否实现，这个工艺里是可以提供NPN管的，Layout的画法是最外层框N-well, 里面再填一层DMPNP（我不知道这个全称叫什么，Smic 180nm的文件里也没有），再里面是DNW（难道是Deep N-well?），最后在画NPN管。
如果按照NPN管的这种画法，是不是类似可以画出一个N阱NMOS，把NMOS的衬底与其他NMOS管独立开来。
不用像SOI那种，把四周的Psub全挖穿，然后再填绝缘层?
这个问题是在过LVS的时候发现的，原先误以为外面加一层保护环就行了，过LVS的时候，电路图和版图中是对应不起来的。
想听听大家的看法，谢谢。

你在N阱里做NMOS，怎么让NMOS衬底和器件区域形成反向自建电场。同种载流子，不同势能永远都是形成欧姆接触的。所以NMOS结构只能做在P阱里，建议看下半导体物理。

好问题，而且问题非常的详细，谢谢你的提问，让我学到很多

smic180nmrf 是单N阱工艺。