请教poly电阻问题，请达人进来看看

这里你把POLY电阻放在NWELL上，nwell相当于你的衬底，你的衬底该怎么接就怎么接，至于你的dummy电阻还是应该接地。你在电阻上加一层金属，起场板作用，也应该接地电位。

那我也可以把nwell的电位接地吧

poly电阻放在nwell上，没有什么意义吧。只有P+ OD电阻放在NWELL中， nwell接VDD做 shielding.
如果要干净一点，放在衬底上，周围围ring接到VSS, 防止被周围电路干扰。以上是以P衬底接VSS的case来说的。不知道你的情况是怎么样的。

你需要的是match?还是精度?

NWELL接地很容易触发Latch up ，你那些match poly 电阻还是放在NWELL里，NWELL的电位与模块中的电源相接，但如果为了更好一点，可以单独从PAD那里引出来一跟电源线，POLY电阻上覆盖的metal 与衬底相连。

不用的全接gnd。

同意这个看法，poly放nwell上没什么意义。

POLY电阻在阱内外对电阻本身没什么影响啊，只是如果当下面有slicide_BLOCK阻挡层做高阻的话阱内外的poly方块阻值是不同的，我记得hhnec.25的工艺方块差了30欧。

很好！

你好，请问如何可以把poly电阻的精度做高?

nwll还是要接高电位。其它的dummy 和metal 都接gnd！

nwell接高没问题，但像我们做模拟的，对于dummy电阻和在其上面铺的metal1我们有时会直接接高。不知道对此，各位大大们有什么看法，我对此的理解是在dummy电阻上铺了层metal1，这样就把电阻两端短接相当于导线了，接高接地都行。不知道这样对不对?各位大大们指教

Poly Res放在Nwell上通常有2个提高性能的作用：1）提高poly Res的耐压，通常超高压工艺中使用2）降低衬底噪声的引入。但是由于nwell的存在poly 电阻纵向的寄生电容增加了，对于部分高速设计不利。

POLY电阻下放NWELL，NWELL接电阻中点电位可减少存底电压调制，然而没有多大意义。因为POLY电阻的电压调制系数很小。看电路要求了。