急！怎样过滤掉电容的propoty

如图所示
怎样过滤掉电容的propoty?
谢谢

改网表，改成一样的就ok了

改到3%，就可以了，不过不建议

太多的，改不来

我的lvs file如下：
最前面这样定义

............

.............

另外我用的是1p5m，可是1P5M没有TRACE PROPERTY的语句，我想
肯定是用的1P2M那里的TRACE PROPERTY
因为它们都调用“MIMCAP_TRACE”
不懂看file,请帮我看看我的猜想是否正确?
如果我改最前面的语句，后面调用的应该都改了，是吧?危险

也这么觉得，比较危险

很奇怪怎么提出小数点后这么多位，怎么画的?调用的pcell吗?

倒角了

为什么要倒角呢?

设计需要

什么设计电容需要倒角，学习学习下

把倒角去掉，应该就没有问题了。

找到 trace_vaule 这个变量，将其值改为3

谢谢
我很奇怪我的电容四个角都倒角了
怎么L=9，W=8.77778了呢?
应该是一样的才对啊

尖角做不准，外加电场容易积聚在尖端
倒角的话就都是均匀的

有人帮我解答下吗?

rule这样写的

不懂，是什么意思呢?

mark掉这个电容的TRACE PROPERTY的地方，应该可以

没人 帮忙解答下的吗

rule不要随便改，话说这是design要求倒角的吗?如果不多，忽略这些错就可以了。

match 的cap 倒角有时候会这么做，因为要求的是相对值，不是绝对值

想知道为什么w和l不一样?

想知道为什么w和l
run出来为什么不一样?

电容不是很多的话，就当假错好了

作者你好，通常畫layout MIM電容的值是要準確的，是不能有誤差率的。如果有的話，要請Designer檢查確認。
上面回答希望對作者有幫助。

谢谢大家了
以上回复都不是我想要的答案，看来无解了

那要看你Rule中的seedLayer和auxlayer 是怎么定义的了。

这2个在user guidline上是关键字

什么叫关键字?
这就是你的LVS Rule中特殊定义的两层Layer

谢谢，再回去看看