求助：关于模拟电源

一般来说分开吧，怎么会合到一起呢 ， 除非是为了esd，噪声也无所谓，而且core 电压= io电压，比如5v

如果Core电压和IO电压一样呢?是不是就可以合用?
不会有什么问题吗?

个人意见啊
1、模拟core的电源和模拟IO上的电源是一个电源域（无ldo情况），所以可以用一个。
2、说明你做纯模拟或者纯数字比较多，纯模拟一般都是一组电源；纯数字一般是两组或以上电源，core用低压减小功耗，IO用高压配合接口协议，大尺寸的如0.35以上的也可以把两组合并，所以也有可能就是一组电源地。
3、混合信号芯片或者射频都是把电源地分开的，如果是模拟core电源和模拟IO电源分开，也就是给core供电的使用直通IO，相当于一个输入pad的用法，其实也可以，不过在产品过ESD的时候测试方案就挠头了。因为ESD测试的时候是按照它的功能分组的，这个输入会被划入电源组进行击打，比较难通过。

无论如何还是要感谢你的解答，

这玩意儿源头在设计本身，没有前提怎么能讨论出结果呢?

肯定是分开比较好了，隔离噪声， 干么要接到一起呢

你所谓的前提是指什么?

那你的意思是像kopzinc说的第3种做的吗?

设计需求呗，各方面情况折中。，您是大拿，别考我。

不要调侃我了，我就是一操作工。

对的，有道理，一般分开就是噪声考虑，模拟会分开，很多数字部分都可以从IO直接拉进去。ESD问题还好吧，只要是你设计的IO那边器件容易开启，一般不会打到内部，反应之前公司就是数字部分就有从IO接上去的，HBM都过8KV

数字电源从IO接过去神马意思啊，是接的core VDD?IO VDD?还是断开IO的core IO VDD的环直接从外面接过来?

就是数字pad里面的直通analog pad，但是不打断数字pad ring，比powercut来的方便

那说明你们的IO设计很好啊，ESD能力很强，一般从Fab拿到的IO，他们只保证2K，能到4K就烧高香了。
还有，你说的“IO直接拉进去”是什么意思?

最近做power都过4kv，然后没有打了，就是gnd可以从IO拉到内部去。

:L

我明白你的意思了，谢谢！

你们的IO都自己做?
还是说你们就是给Fab做IO的?

这种IO倒是经常见有，不过一直不敢用啊，还是powercut挂着器件来的放心。版大你一般是怎么处理IO环的?

没关系啊， noise有那么大么，一般的应用完全可以
用直通pad只会提高esd 性能， 因为没有断开 ring，

Noise有的，我现在就是因为这个原因，所以在考虑是不是要分开。

几个power domain啊，个人感觉3个左右都可以 直连，
是哪个库，哪个工艺 ，直连是比较简单的做法，powercut 就增加一些pad 区域area

0.18工艺，2个电源域（数字域和模拟域），模拟域的ESD Power和模拟Core共用了一个，现在测试下来好像模拟电源上Noise很大。

是什么IP， PLL?
按理说如果用PVDD3AP（smic 18） 的，接到pll的analog power，顺便供应pad上的ana power，问题不大的，
是3.3v ana power么?
你要分开就要PVDD1AP , PVDD5AP 这些类型了

自己做IO,我们做的是比较大的工艺，1u~0.11，在往下没有做过

LDO3.3V 模拟电压，LDO输出1.8V

工作电压多少?

LDO本身要带很多cap的吧， 外面需要cap么，帮助滤波

你说的外面是指芯片外还是LDO的外面?