lvs rule中如何定义区别两个地？

你要问的具体是什么问题?是想说应该只有一个地，还是说应该有两个不同的地?
另外看你这版图就觉得有问题，你看看你的反相器是怎么接电位的，你的DRC也没过吧?仔细检查一下

Guardring内外是同一个地
DRC是OK的 反相器接法没有问题
如果将闭合的地环打开个缺口lvs是OK的 ，如果地环闭合，反相器的地被识别成别外一个net

通常用 psub2 layer(T晶元代工) 區別 nmos 的 body

你的环外边的反相器的p、n的位置要对调一下啊

以前我也遇到过这种问题，不过是关于我用的工艺中有个叫基板分离层（SEPGND）的层次覆盖的关系，sepgend层是要将nmos和其对应的sub覆盖在一起的，否则就会出现有两个net的情况。
不过你那个是不是这个问题，就不清楚了仅供参考一下。

小编你的发帖时间、注册时间都很恐怖啊。
我想这个是command file语句的结构问题，或者说是calibre语法问题，正常是一个环隔离，隔离内外通过ring的下面是互通的，但是机器识别这两块儿是完全隔离的，这就是为什么挖了个开口就可以识别成等电位的原因。语法上很难解决，layout上可以用metal把内外直连好了。

感觉地环像电环(N阱环）一闭合 就将衬底分为两个电位了

是的，因为语句只有平面概念、没有立体概念。这个是先天缺陷，很难避免。

仔细看你的版图也看不清楚，貌似你的inv的存底电位接法是不对的，你要是确认这个没问题，然后run lvs 还是报错不同的vss net，那么你添加一层PSUB2试试看，要是还是有问题，就是你版图本身有问题

这要靠你自己查看 command file 了，或者 design rule 有没有相关描述。
如果是 Calibre 的话， holes 就可以做到了

整体加psub2 lvs是通过的
但是有别的方法吗?应该在calibre中能设置吧?

暂时不知道你这究竟是怎么回事了，我还从来没有碰到过。我只是感觉从你版图上看做的有问题，inv的PNmos要反转，inv Pmos和ring中的Pmos摆在一起，inv Nmos和ring中的Nmos摆在一起。既然小编自己肯定不是这个问题了，我也暂时没想到什么原因，多问问其他大神，看看是不是cmd file设置的问题，具体我也不清楚，同样求解！

我是反相器的pmos和其实pmos放在一起了 中间隔个N型环

為什麼不把P N mos各自放在各自ring裡面呢?

版图有问题吧。

感觉是ground与psub的问题

很有可能是Nwell打错了。