MIM电容版图结构,连接问题。
时间:10-02
整理:3721RD
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1 mim电容是用两层metal做成的,但是这两层之间打孔了,那不是把这层连接到一起了吗,可是实际是没有的,那这个via是干什么用的。
2 两层中用 那层接vss比较好。
3mim电容做dummy是不是很麻烦,周围有dummy后,中间的cap就不好引出来了啊。
2 两层中用 那层接vss比较好。
3mim电容做dummy是不是很麻烦,周围有dummy后,中间的cap就不好引出来了啊。
别沉啊,求助攻
mim ㄉ結構 以 m12為例,如下圖
主要是 mim 當 上層 m1 當下層
via1 在 mim 上, m2 會接 在 mim ,不會接在 m1 上
via1 不在mim 上,m2會接在 m1 上
哪一層接vss,要看情形決定
dummy 一向是麻煩的
m2_mmmmmmmmmm
via1
mim_mmmmvia1
m1_mmmmmm mmm
两层金属间多一层金属。接的时候dummuy电容的两端都会接到节点上。
大多数人对这个工艺上的实现有认识上的误区,实际上via&contact的高度是可以不一致的,对MIM或者PIP的剖面图理解一下就明白了。
对的,看图(特别是剖面图)好理解些
1、MIM电容有一个CAPMETAL层,这一层不仅仅用来作为标识层,而且用于制造,为了获得较大的MIM单位容值,一般是利用CAPMETAL这层MASK挖去下极板METAL之上的一部分氧化层,然后淀积一层金属,所做的VIA就是用于将上极板金属与这一层金属相连接。
PS: 电容体区由CAPMETAL的大小决定
2、一般来说,比较重要的信号连线不处于顶层也不处于底层,所以一般来说重要的信号线都用CAP下极板,上极板接VSS(CAP是由METAL2和METAL3构成)
3、连线我认为没什么复杂,但是要考虑连线寄生之间的匹配
楼上分析的到位。支持MIM的工艺,在工艺文件中对MIM有很明确的描述,结合剖面,容易理解
另外,从工艺角度,MIM制造误差偏大,重要模块一般不适用。