求电阻串联在高分压比下的匹配方法

工艺是CSMC0.5
R3=10K
R1=R5=1650K
R2=R4=120K
电阻比值 R3:R1:R5:R2:R4 1:165:165:12:12
要求：
1.R1和R5匹配
R2和R4匹配
最好都能匹配，但以上匹配决定电路的功能，都匹配上决定电路的性能。
2.尽量减小R1、R5、R2、R4误差对R3的影响
3.为了提高精度，R3是10K是否合适，精度是否能保证，W多少比较合适?如何计算精度误差?
本人版图经验很少，目前没有太多头绪，请高手大侠指教，感激不尽！

模拟电路版图艺术上，有一章专门介绍了电阻匹配的画法，你可以去看看。
要高精度的匹配，单个电阻至少要包含5个方块。
电阻的宽度，工艺上应该会有介绍。

所提的要求和我对分压电阻电路的理解不一样，
1），分压电阻我会5个电阻全部做match的，这样由于工艺误差，它们同时做大10%或者小10%，分出的电压公式是res的比值，分子分母都是乘以110%或者90%，REF1，REF2..这些的值不会变化。我不理解为什么只要求R1,R5match，R2,R4match，如果1，5做大了，2,4变小了，REF1，REF2，REF3..这些会与预期有出入。
2）,5个res全部match
3，w要看工艺要求了，一般比工艺最小rule大的话精度会高，比如xfab的工艺，2um的rule，推荐5um。
但是同上面所说的一个道理，我认为分压电阻无需精度，即便value 差很多，只要高度match，我们只是求比值的。所以分出的电压不会有影响。

从电路要求和便于layout设计角度来看，电路设计中最小的电阻cell取值50k欧。R3由5个并联实现。120k由2串+5并联+5并联，1.65M可以由33串来构成。此外要注意加dummy。

谢谢指点，把R3用5个并联这个方法受用了

如果可以5个都能一起匹配那太好了，这个电路可以看到R1、R5，R2、R4他们阻值分别都一样，所以我才要求分别匹配，但是如果把所有都匹配上那就更好了。还请再指教，匹配办法。

这个电路如果给误差分等级，首要就是R1、R5还有R2、R4的匹配，然后是R1、R5组成的分压，R2、R4组成的分压以及R3这三部分的分压之间的误差。都匹配是最终目的~

5个都匹配，4楼的方法就可以了。

hrw=2.5um => 4um wide 會讓MATCH 提高..
HR1um 會危險
HR 雖比N_WELL R 好, 但是 2um 只是一般要求
NW or hvnww > 10um 會好些

谢谢指点~

分压网络，看电阻定义猜是HR电阻，口值1K，所以打散5个一起做matching好了，而且口值大些，process vibration会小一些，具体要看是哪家的process. 我们接触过的一些process一般选择8-15口值，test line的结果都不错.
不过接触过的分压产生reference voltage的电阻串，一般都会加入trimming电路，以便调节电位精准度，不过具体要看LZ这块的作用是什么了.

一般 FOUNDARYWAT 電阻都不不會太常..
你畫一條 L=50um=10um 串 5.
2 後面會比前面安全, 但會增加AREA .
有人畫過w=2um L=100umHR resistor ?

好复杂哦，为什么要并联，无端端大了那么大的面积，
不是电路上有segments吗?还有为什么要选用NW电阻，
精度好差的好不好?！

同意四楼的观点