mos电容的区别
顶顶顶顶
作为mos电容，我们最希望的是让其工作在积累区，这样其电容值是很稳定的
这样对应的结果就是如果是一端接地（GND）的电容，则使用pmos（N阱）电容；
如果是一端接电源（VCC）则使用nmos（P阱）电容
前面两种 非线性电容， 两端电压大小确定 情况下使用，第三种为近似线性电容，大部分情况均可使用
学到了啊 一直不清楚这个问题
1,2 其实就是普通管子，没有大的差别；主要就是3这种电容，在nmos管下加nwell，一个可以把电容做成线性，也就是避免了阈值电压造成的充放电延迟，还有就是从工艺上减小了衬底寄生电容的影响
三个电容中nwell衬底的nmos特性最好，不过有是浪费面积，所以在版图中只要适合就行，没有必要选特性最好的，除非电路对电容的特性要求很高，例如振荡器。
学到了~不该忽略这三种的区别的~
第三种的nwell就是传说中的DNWELL，对隔离陈迪噪声很管用的
从前有种噪声叫陈迪
衬底，哈哈，打错字了
第三种的nwell就是传说中的DNWELL，对隔离陈迪噪声很管用的
不盡相同有些 只是用一般的 NWELL 不是用 DNWELL
学到了，不过我还未见到过nwell的nmos,希望可以遇到
问下nmos放在nwell中作电容时，是不是只有积累区和耗尽区，没有反型区，如果这样，它的曲线就和nmos电容曲线不一样了
就看接gate的电压?
不懂的地方好多呀！
1 电容的非线性和线性是怎么回事?
2 12 电容在电路使用上有没不同?
同样没碰到过放在deep nwell中的电容，希望能碰到
15楼看出mos cap的工作本质。对mos cap来说，器件的选择很重要，接法也很重要。
NMOS放到NWELL中，其实就像相当于工作在积累区的PMOS电容，原理是一样的