三星的14纳米工艺是finfet-fdsoi吗？

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fd-soi还有希望吗？吹了好几年了

GlobalFoundries与三星电子已经采用称为FD-SOI的技术，这项技术在耗电与成本上具有优势，仰赖法国厂商Soitec特别量身订制的半导体晶圆。
Soitec CEO布德尔说，日本科技大厂Sony近来设计的智能手机GPS芯片便使用FD-SOI技术，结果芯片耗电量只有原本的十分之一，让用户可以更频繁使用卫星定位技术，不必担心会吃掉手机太多电力。
有些公司也开始在不生产更小电晶体的情况下，进一步挖掘芯片的潜能，NAND快闪存储器厂商已经以3D NAND的方式，透过堆叠多层电路来提升效能。这项技术需要采购许多生产设备，因此令许多厂商受惠，应用材料便是其中之一。
有关FD-SOI
全耗尽型绝缘上覆矽（Fully Depleted Silicon-on-Insular，FD-SOI）是FinFET与Tri-Gate的互补技术，被视为是可望在物联网与汽车市场取代FinFET的理想替代方案，其特色为功耗低、性能和成本效益较佳。目前支持FD-SOI的晶圆代工厂包括格罗方德以及三星电子。