用标称2.5V的工艺做3.3V的DCDC

时间：12-12 整理：3721RD 点击：

大家可有什么心得？主要是Hot carrier injection 导致degradation

多用cascode结构，保证管子实际vds，vgs<2.5V, 输出的功率pmos管设计的时候要做些
处理，比如将drain端拉大呀，不要用最小的沟道长度，并且输出的drain端要加一个sa
b层次，从而稍微加大一点drain端电阻，保证esd性能