请教做射频IC的专业人士
现在的问题是，如果我们自己采用倒装方式（自制焊凸），即将芯片翻转过来，电极焊盘与金属薄膜电路基板上的对应焊盘直接连接，基板的背面为铺地（基板背面为整个金属层GND），这种安装方式是否破坏了该射频芯片原有的微波工作模型，而导致该芯片在高频下根本不能工作（只考虑IC本身，即IC的输入到输出）？
假设该IC的工作模拟带宽为30 GHz以上，使用金薄膜电路基板的厚度为0.25 mm，基板背面整面金层GND（正面薄膜电路的GND以过孔与其连接）。我们对高速IC的微波结构不了解，无法做微波仿真，只知道采用倒装技术是有利于高速信号连接。
对于这种正常情况下以正装方式工作的高速IC，按照上述介绍的倒装安装情形，是否原理上就是行不通的？谢谢指教！
你确定30G的芯片，原来是用邦线形式进行的封装？
它本身是裸片，没有金线封装，金线是我们自己去打。
光通信领域用的TIA，供应商提供应用说明，都是裸片然后用户自己打线。
30g的芯片,恐怕金线怎么打都有一定的讲究吧. 供应商会给参考设计么?
这么高的频率下,我感觉正装变倒装是有可能出问题,
正装的参考地平面应该是在芯片背部, 而你现在倒装是在芯片正面再隔着一层基板
芯片里会不会有twv(thru wafer via,就是打穿整个芯片到底部的通孔,以使接地良好)?
是不是有高掺杂外延层在芯片底部?
如果没有电磁场仿真你很难debug
flip chip 的 焊盘和普通bond wire的焊盘不一样吧，直接翻恐怕不行。
AN里会给出高频回路的打线电容设置和对打线本身的一些大体要求。用正装和打线方式我们已经做了，是没有问题的，行业里也都是这么做。但是倒装我们做了几次性能都很糟，起初以为是别的传输的部位有问题，后单独检测后排除，最后怀疑到倒装片本身。
倒装的问题会不会是出在基板背面的整面金属膜结构上，因为有可能这层金属层改变了原正装结构下的电磁场边界条件---基板很薄，0.25 mm；正装是无穷大空气介质，倒装是薄层介电基板（比如陶瓷）外设金属层，焊凸的高度也就20、30 um量级。我们对IC的工作设计结构不了解，所以不好做判断，所以想从IC专业人士上获得原理解释，以便排除其它因素（比如倒装工艺将芯片高频电路损伤，这个我们更难判断，我们按厂方给的直流检测标准芯片是好的，高频信号下也能工作就是性能很糟）。
我们现在用的芯片的背面应该是绝缘的（GaAs或InP半导体裸材料），芯片背面不要求接GND，所有的GND都在芯片正面的焊盘给出，当然IC内部可能是有GND层。
倒装工艺本身没有问题，我们的倒装焊是超声焊，跟wire bonding的材料、工艺原理是一样的。
30G用邦线肯定设计时考虑了邦线的寄生效应了
突然把邦线撤掉，估计阻抗匹配之类的都变了
不会。AN里给的建议是bongding线越短越好，用倒装就是邦线的长度达到最短的极限。直接与供应商联系对方也是指明越短越好，而不是要求某个长度范围。
我感觉应该是倒装改变了传输线的特性阻抗 以前相当于是微带线 倒装之后变成了悬置微带
了
您是说IC里也有传输线结构？这个IC很小，1 mm见方，包含了TIA和LA两个单元。如果您确认在这个尺寸里IC的有关微波结构在 30 GHz下会受到所说倒装结构的影响，那我们就可以确认现有倒装方案是行不通的了。
如果是这样，有没有可能在IC的倒装安装位置，将基板背面的局部GND层挖掉，范围可以比IC本身的尺寸稍大（因为其它地方的GND层需要保留）来处理？基板材料本身的存在会对原芯片的微波结构有很大影响否？如果确认原理上也是有明显影响，那就得将这个位置的基板都挖空，只留焊盘安装位。这个倒是可以实现，备料，改设备夹具等等要花很多时间，需要原理上尽可能确认方好实施。
可以把基板背面铺地层在裸芯片处空出来不铺地。
倒装焊如何超声焊？倒装焊一般采用凸点热压或熔锡连接。
难说。。
你们公司都搞到30G了，都不招个专门做射频建模的么？30G的电路板你们找谁画的？
你们的bondwire都不用建模就直接用的么？对特定封装结构来说，bondwire有最小长度，一般芯片是比照着bondwire的最小长度设计的？但是倒装的话长度不就变成几乎是零了么？
你想想这里面parasitics的变化会有多大。。对芯片的性能影响有多大。。不单单是匹配的问题，可能电路就振荡了。。
btw：其实一般搞射频IC的对这个未必很懂，你得找搞微波的人。。
正装在30g上工作很好，为什么