cmos的PA有什么优势？1年后会pk掉砷化镓PA吗？

单说PA的话，可能不行
但是如果控制方式好了，就不好说了，就和原来很多必须用硬件才能保证性能的东西，现在直接用软件模拟就行了那样。

比如原来必须靠ASIC的玩意，现在用通用核就可以了
就跟液晶一样，到现在显示效果也没比上CRT，但是也把CRT全面杀败了。
CMOS只要性能差不多，别完全不靠谱，加上容易集成别的周边部件，也许将来可能容易集成复杂的控制模块来优化性能，再能够和基带的ET之类的玩意配合的更好，最后综合实现下来也许会给行业和用户的体验更好。

搞不懂et和dpd老跟cmos pa扯上关系.砷化镓pa就不需要et和dpt吗?
支持et的砷化镓pa似乎也很多啊.

主要是CMOS能集成啊，各种控制器，开关，DCDC之类的堆在一起，
GaAs的功率die配合一坨CMOS控制器，再往外配合基带，就麻烦多了
不过真集成起来，衬底损耗和串扰也许还是问题多多，不知道啥时候能真正好用起来

以前听说手机用的GaAs PA本身die size很小，但是一个单独的功率控制芯片就比他大，GSM的功率控制和时隙要求貌似比较变态；
现在CMOS PA和TRx/bb集成我个人是不看好的，但是如果能跟控制芯片集成在一起估计还是有意思的。
另外还有IPD，听说RDA一直在搞，不知道现在如何。
btw：MTT今年有片综述可以随便看看，作者的结论是
Standalone CMOS-PAs that compete with today’s
GaAs-based PA modules are less attractive in our view,
although they probably can find a niche for low-cost products.

 A_Review_of_Watt-Level_CMOS_RF_Power_Amplifiers.pdf

cmos的话，PA+ET是可以的。虽然ET面积比PA还大一些。

我的理解，ET只是改善平均效率用，像3G这种pdf曲线，很多时候只工作在在小功率工作所以可能更有用。GSM的功率控制跟ET是两回事。
不是搞手机的，可能理解不对哈

Lte就有了需求了。有时候会信号功率变化大
而且省电对手持设备太重要了

PA和TRx/bb集成很多家都在做。。
本质上是牺牲掉一些性能换取高集成度
并非不可能。。

这个要看写综述的是谁，如果是做GaAs的人肯定会推GaAs
但如果是搞SoC的肯定要把CMOS当成首选。。。

为啥LTE就有需求?LTE只是带宽大,信号功率变化或者说峰均比并不比wcdma大吧.