刻蚀深度100微米，最小线宽1微米，求方案

su8  光刻胶是不是不好除胶？ 另外胶太厚了对分辨率有影响吗？谢谢同行了

基本上没啥戏吧,建议光刻胶先做sio2掩膜再去刻蚀si,但即使这样100:1的深宽比也实在很困难,到后面各种刻蚀反应物基本没法从沟道出去啊

感觉基本不大可能，100:1的陡直深槽刻蚀方法还真没听说过，尤其线宽又只有1um这么小。

一般MEMS也用不到这样的........这是要干什么

激光也就刻100微米深…然后就断了…片子就可以裂了…
  

感觉也很难，现在激光划片机也需要几十um的划片槽来保证冗余的，也许是对准精度的冗余，但是线条1um个人盲目感觉不太好搞