请教关于smic013um工艺中lvt管子的问题

各位大神，新手请教一个问题，如下：
我用smic0.13um工艺流的一个片子，里面用到了nlvt12管子，栅极接了2.3V控制电压，衬底接地。我在上电之前，用欧姆档测了一下栅极对地的电压很大，说明这个lvt管子本身没什么问题。但是上电之后（就是2.3V栅极电压）再断电，重新测一下栅极对地电阻，就变成了几百欧姆，这种情况应该是lvt的管子击穿了吧？我想问下击穿的原因是什么？
新手第二次流片，遇到这个问题崩溃了= =求大神答疑解惑...在线等~

这个当时是用n12管做了一个cascode结构的开关，下面一层nlvt12的开关管接的是高电位为1.2V的控制信号，为了版图方面画起来更方便，所以上面那一层也用了nlvt的管子，当时调的时候栅极就给了一个2.3V的固定电压

电路图画出来看看，上面的cascode应该用能承受2.3V的nmos..如果nlvt12不是全
隔离

手头没有pdk不知道具体管子的耐压范围，
具体坏的方法可能有很多...

PAD上有ESD保护的。我感觉PAD没有接错，但是出了这种情况，ESD保护的确很有可能出问题了。多谢提醒，我再从版图方面debug下

我用的是工艺厂商提供的PAD，看了下里面的MOS管全都是厚栅N管。另外我给ESD供电的电源是3.3V

你这样使用一定会有问题的，四端中任意两端压差不能大于1。2v

厚栅的管子保护你一个lvt1.2的管子，估计是保护不住

smic0.13um工艺也算相对成熟了，当时流片时出于保险起见用的也是标准PAD。我有两点疑惑，首先是判断能否保护住，有什么具体的依据吗？其次是，如果保护不住的话有什么解决的可行方法吗？了解到公司一般会在PAD与core中的栅之间加个电阻，这个是一种解决方法吗？多谢师兄赐教……

esd的电流肯定往薄弱点走，所谓PAD上的ESD保护电路其实都是牺牲自己保全core，希望电流从自己这里流走
esd用厚栅，相对于你的core来讲太结实了